Речь идет о так называемой "памяти с изменением фазового состояния" (phase change memory, PCM или PRAM), основанной на способности халькогенида (chalcogenide) под воздействием нагрева и электрических полей изменять свое состояние с непроводящего аморфного в проводящее кристаллическое. Данный вид памяти прекрасно справляется как с хранением больших объемов данных, так и с хранением выполняемого кода, представляя, таким образом, удивительный сплав флэш-памяти и динамической памяти с произвольным доступом.

В прессе уже проходили сообщения о разработке Samsung первого прототипа PCM модуля. Сегодня Intel предоставила публике первую 250 мм подложку, которая содержала многочисленные 128-мегабитные чипы PCM, произведенные на одной из фабрик ST Microelectronics.

"Мы действительно уперлись в практически непреодолимые преграды на пути совершенствования технологии флэш-памяти. Нам необходим был какой-то решительный прорыв в исследованиях, для того чтобы сдвинуть процесс с мертвой точки", - говорит Эд Доллер (Ed Doller), главный технолог группы разработки флэш-памяти Intel. "Мы надеемся что PCM как раз и будет таким прорывом", - продолжил Доллер.

Intel собирается начать отгрузку образцов новой памяти в течение следующего месяца, но, как заявил Доллер, пройдут еще многие годы прежде чем данные модули появятся в выпускаемых на массовый рынок продуктах. "Не раньше 2010", закончил Доллер.